| Производитель | РОССИЯ |
|---|---|
| Структура | N-FET |
| U ст-ист max, В | 20 |
| I ст-ист max 25С, А | 0.043 |
| U з-ист max, В | 10 |
| P расс. max, Вт | 0.3 |
| Корпус | KT-27 |
2П302В, ОС
Характеристики
