| Производитель | РОССИЯ |
|---|---|
| Структура | N-FET |
| U ст-ист max, В | 25 |
| I ст-ист max 25С, А | 0.03 |
| U з-ист max, В | 6 |
| P расс. max, Вт | 0.25 |
| Крутизна характ, мА/В | 9 |
| Корпус | KT-112 |
2П307Г
Характеристики
