| Производитель | РОССИЯ |
|---|---|
| Структура | N-FET |
| U ст-ист max, В | 25 |
| I ст-ист max 25С, А | 0.02 |
| U з-ист max, В | 3 |
| P расс. max, Вт | 0.2 |
| Крутизна характ, мА/В | 2 |
| Корпус | KT-112 |
2П303А, ОС
Характеристики
